Перейти к основному содержанию
Известия Вузов. Радиофизика
Издание Нижегородского Университета и Института Прикладной Физики РАН
Направить рукопись
  • О журнале
  • Авторам
  • Выпуски
  • Редколлегия

Поиск по вышедшим выпускам

Авторы и название Год, том, номер, страница
Чмырь С.Н., Галеева А.В., Артамкин А.И., Долженко Д.Е., Чернов М.Ю., Хохлов Д.Р.

Особенности электронного транспорта и микроволновой фотопроводимости в эпитаксиальных слоях AlxGa1−xAs:Si в магнитном поле

Год 2026, том 69, выпуск 7/8 стр. 693

Университет Лобачевского

© 2026 Университет Лобачевского

603950, г. Нижний Новгород, ул. Большая Печёрская, 25/12а
Научно-исследовательский радиофизический институт
Нижегородского государственного университета им Н.И. Лобачевского

(831) 436-01-71

Политика обработки персональных данных в ННГУ