Особенности электронного транспорта и микроволновой фотопроводимости в эпитаксиальных слоях AlxGa1−xAs:Si в магнитном поле

Изучены магнитосопротивление и фотопроводимость, индуцированная излучением с частотой около 50 ГГц, в структурах на основе AlxGa1−xAs:Si в диапазоне составов 0,22 ≤x ≤0,4 в магнитных полях до 5,5 Тл. Показано, что при температуре T = 4,2 К наблюдается отрицательное магнитосопротивление, связанное с эффектом слабой локализации. При T < 20 К обнаружена положительная микроволновая фотопроводимость. Показано, что дополнительная фоновая подсветка приводит к увеличению интерференционной квантовой поправки к проводимости и появлению специфических особенностей микроволновой фотопроводимости в магнитном поле.