Память с контролируемым временем считывания в кристалле Eu:YSO на основе эффекта Штарка

Исследован линейный эффект Штарка в кристалле ¹⁵³Eu:Y₂SiO₅ для сайта 2. Реализован протокол памяти на основе атомной частотной гребёнки с контролируемым временем высвечивания эха. Показана возможность как ускорения, так и замедления считывания импульса, записанного в ячейку памяти.

На английском языке

Quantum memory with controllable recall time based on the Stark effect in a Eu:YSO crystal

Akhmedzhanov R.A., Gushchin L.A., Zelensky I.V., Nizov V.А., Nizov N.A. and Sobgaida D.A.

We study the linear Stark effect in a ¹⁵³Eu:Y₂SiO₅ crystal for ion site 2. A quantum memory protocol with controllable echo recall time using atomic frequency combs is implemented. The possibiity of both accelerating and delaying the recall of a pulse stored in a memory cell is shown.

DOI: https://doi.org/10.52452/00213462_2026_69_05_419

Пример ссылки для цитирования

Ахмеджанов Р.А., Гущин Л.А., Зеленский И.В., Низов В.А., Низов Н.А., Собгайда Д.А. Память с контролируемым временем считывания в кристалле Eu:YSO на основе эффекта Штарка // Изв. вузов. Радиофизика. 2026. Т. 69, № 5. C. 419–426.