Модель инжекционного полупроводникового лазера на квантовых точках

Предложена асимметричная электронно-дырочная модель инжекционного полупроводникового лазера на квантовых точках, в которой корректно учитывается релаксация на переходах между электронными и дырочными уровнями. Исследованы стационарные решения предложенной модели, условия реализации режима одновременной генерации на переходах между уровнями основного и первого возбуждённого состояний, релаксационные колебания в режиме двухволновой генерации. Показано, что модель может быть упрощена, когда релаксация между уровнями дырок происходит намного быстрее, чем релаксация между электронными уровнями.

На английском языке

Model of an Injection Semiconductor Quantum-Dot Laser

Koryukin I.V.

We propose an asymmetric electron-hole model of an injection semiconductor quantum-dot laser, which correctly takes into account relaxation at transitions between electron and hole levels. Steady-state solutions of the proposed model, conditions for the simultaneous operation at transitions between the ground and first excited state levels, and relaxation oscillations in the two-wave lasing regime are studied. It is shown that the model can be simplified when the relaxation between hole levels is much faster than the relaxation between electron levels.