Модель инжекционного полупроводникового лазера на квантовых точках

Предложена асимметричная электронно-дырочная модель инжекционного полупроводникового лазера на квантовых точках, в которой корректно учитывается релаксация на переходах между электронными и дырочными уровнями. Исследованы стационарные решения предложенной модели, условия реализации режима одновременной генерации на переходах между уровнями основного и первого возбуждённого состояний, релаксационные колебания в режиме двухволновой генерации. Показано, что модель может быть упрощена, когда релаксация между уровнями дырок происходит намного быстрее, чем релаксация между электронными уровнями.