К настоящему времени достигнут существенный прогресс в синтезе переключаемых собственным током структур спиновых клапанов и магнитных туннельных переходов с гистерезисными зависимостями сопротивления от тока. Эти структуры представляют интерес для создания компактной электронной памяти. Однако обычно представляемый в публикациях гистерезис сопротивления не соответствует физическим принципам. В данной статье показано, как должны выглядеть не противоречащая закону сохранения энергии гистерезисная зависимость сопротивления от тока или проводимости от напряжения и соответствующая вольт-амперная характеристика. В качестве примера приводится экспериментальная вольт-амперная характеристика магнитного туннельного перехода Co$_2$MnSi/MgO/Co$_2$MnSi, согласующаяся с модельными гистерезисными зависимостями.
Демидов Е.С. Корректное определение гистерезиса нелинейных вольт-амперных характеристик спиновых клапанов, магнитных туннельных переходов или мемристоров // Изв. вузов. Радиофизика. 2016. Т. 59, № 6. C. 570–.