На основе анализа поведения лучевых траекторий в окрестности поверхности электронного циклотронного резонанса предложен метод управления радиальным профилем электронного циклотронного нагрева плазмы в аксиально-симметричной магнитной ловушке за счёт небольших возмущений её магнитного поля. Также предложен способ реализации таких возмущений за счёт добавления в систему дополнительной «квадрупольной» пары магнитных катушек. Численно продемонстрирована возможность улучшения согласования излучения с плазмой в прямой ловушке и управления профилем энерговклада за счёт небольшой вариации тока в этих дополнительных катушках для двух основных сценариев электронного циклотронного нагрева плазмы: с торцевым вводом излучения и с захватом излучения неоднородным плазменным столбом.