Представлены результаты экспериментальных исследований динамики фотоиндуцированного оптического поглощения в кристалле силиката висмута при воздействии на него непрерывным лазерным излучением с длинами волн 532 и 655 нм. Световой пучок полупроводникового лазера с длиной волны $\lambda = 655$ нм вызывает просветление кристалла на этой длине волны, в то время как его экспозиция более коротковолновым излучением из зелёной области оптического спектра с длиной волны 532 нм увеличивает оптическое поглощение на обеих использованных длинах волн 532 и 655 нм. Для интерпретации экспериментальных результатов применена теоретическая модель, предполагающая наличие в кристалле глубоких дефектных центров двух типов, на каждом из которых электрон может находиться в одном из состояний, характеризуемых различными сечениями фотоионизации.