Представлены результаты экспериментальных исследований динамики фотоиндуцированного оптического поглощения в кристалле силиката висмута при воздействии на него непрерывным лазерным излучением с длинами волн 532 и 655 нм. Световой пучок полупроводникового лазера с длиной волны $\lambda = 655$ нм вызывает просветление кристалла на этой длине волны, в то время как его экспозиция более коротковолновым излучением из зелёной области оптического спектра с длиной волны 532 нм увеличивает оптическое поглощение на обеих использованных длинах волн 532 и 655 нм. Для интерпретации экспериментальных результатов применена теоретическая модель, предполагающая наличие в кристалле глубоких дефектных центров двух типов, на каждом из которых электрон может находиться в одном из состояний, характеризуемых различными сечениями фотоионизации.
Пример ссылки для цитирования:
Худякова Е.С., Кистенева М.Г., Шандаров С.М., Корниенко Т.А., Толстик А.Л., Каргин Ю.Ф. Динамика изменений поглощения света в кристалле силиката висмута, индуцированных лазерной засветкой видимого диапазона длин волн // Изв. вузов. Радиофизика. 2014. Т. 57, № 8-9. C. 660–665.