Детально описаны принципы конструирования настраиваемого смесителя с подавлением зеркального канала на частотный диапазон $86{\div}115$ ГГц и смесителя на диапазон $787{\div}950$ ГГц с двухканальным приёмом и отсутствием деталей механической настройки. Указанные смесители основаны на туннельных сверхпроводящих переходах типа сверхпроводник—изолятор—сверхпроводник с применением нормального металла (алюминия) в настроечном контуре. Оба разработанных смесителя оптимизированы для одностороннего подключения чипа к прямоугольному волноводу полного сечения, что необходимо для создания однокамерного волноводного смесителя субмиллиметровых волн по балансной схеме с широкой полосой промежуточных частот. Коэффициент отражения входного сигнала составил величину менее $-15$ дБ, а потери на прохождение сигнала на смесительный элемент — менее $3$ дБ в диапазоне частот $787{\div}950$ ГГц.
Пример ссылки для цитирования:
Корюкин О.В., Шитов С.В., Выставкин А.Н. Сверхпроводниковый смеситель на основе чипа с односторонним подключением для радиоастрономии // Изв. вузов. Радиофизика. 2013. Т. 56, № 1. C. 55–.