| Авторы и название | Год, том, номер, страница |
|---|---|
|
Влияние толщины барьерного слоя наногетероструктур и ёмкости затвор-сток на сверхвысокочастотные и шумовые параметры полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов НА AlGaN/GaN |
Год 2016, том 59, выпуск 2 стр. 171 |