На основе численного моделирования исследована возможность ускорения электронов субнаносекундными импульсами черенковского сверхизлучения (СИ) коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн в ускоряющих ячейках с запиткой сбоку перпендикулярно движению электронного пучка. Такие системы представляют наибольший интерес для случая, когда электроны уже имеют достаточно большую энергию. Считалось, что на входе в структуру энергия электронов составляет 3 МэВ, что может быть обеспечено при формировании исходных электронных сгустков на основе фотоинжекторных систем. Расчёты проводились с учётом достигнутых параметров импульсов СИ частотного диапазона около 150 ГГц (пиковая мощность 80 МВт, длительность 180 пс), а также с учётом значений пробойных полей, определённых в предшествующих ускорительных экспериментах с импульсами СИ диапазона около 38 ГГц. Показана возможность достижения энергий электронов на уровне 5,0-5,5 МэВ в компактных системах при ускорительных градиентах, существенно превышающих величины, достигнутые с помощью длинноволновых клистронов.
Вихарев А.А., Зотова И.В., Федотов А.Э., Гинзбург Н.С., Яландин М.И. Высокоградиентные структуры для ускорения электронов коротковолновыми импульсами черенковского сверхизлучения // Изв. вузов. Радиофизика. 2025. Т. 68, № 1. C. 29–35.