С помощью численного моделирования в рамках модифицированной модели SAMI2 исследуется зависимость характеристик крупномасштабных возмущений плазмы при высокочастотном нагреве ионосферы от частоты и мощности высокочастотного излучения. Показано, что учёт перестройки профиля концентрации плазмы в области F, обусловленный нагревом, приводит к сильной зависимости возмущений концентрации плазмы от этих параметров. Проанализировано влияние омического поглощения в нижней ионосфере на образование крупномасштабных неоднородностей.
Формирование крупномасштабных возмущений при высокочастотном нагреве ионосферы: зависимость характеристик возмущений от частоты и мощности высокочастотного излучения
Формирование крупномасштабных возмущений при высокочастотном нагреве ионосферы: зависимость характеристик возмущений от частоты и мощности высокочастотного излучения