В работе обобщены результаты исследований возможности создания локализованных ансамблей NV-центров (комплексов «азот-вакансия») в монокристаллическом алмазе. Легирование алмаза азотом осуществлялось в процессе его выращивания методом химического осаждения из газовой фазы (chemical vapor deposition, CVD). За счёт использования микроволнового CVD-реактора, в котором реализовано быстрое (за несколько секунд) изменение состава газовой смеси, получены тонкие (нанометровой толщины) легированные слои алмаза, положение которых от поверхности подложки известно с высокой точностью. Продемонстрирована возможность формирования матрицы NV-центров, локализованных по поверхности кристалла. Представлены результаты исследования флуоресценции NV-центров в таких структурах.