Возбуждение высокодобротных мод шепчущей галереи в полушаровом экранированном диэлектрическом резонаторе щелевой линией

Экспериментально исследованы электродинамические характеристики полушарового экранированного диэлектрического резонатора в 8-миллиметровом диапазоне длин волн. Для возбуждения мод шепчущей галереи в таком резонаторе предложено использование щелевой линии. Установлено, что предложенный способ возбуждения является эффективным и позволяет генерировать в экранированном диэлектрическом резонаторе высокодобротные колебания высших порядков, не внося дополнительных потерь энергии. Экспериментально доказано, что достигаемая собственная добротность исследуемого резонатора может превосходить пороговые значения, которые ограничены диссипативными потерями в его материале. Этот эффект обусловлен смещением резонансного поля в воздушный зазор между металлическим и диэлектрическим элементами резонатора. Продемонстрировано соответствие расчётных и экспериментальных данных.