С помощью терагерцового ближнепольного микроскопа исследовано пространственное распределение концентрации носителей заряда в различных полупроводниковых микроструктурах. Для образца на основе InAs проведена оценка концентрации носителей заряда в низколегированном акцепторной примесью Zn слое InAsSbP.
Пример ссылки для цитирования:
Трухин В.Н., Голубок А.О., Лютецкий А.В., Матвеев Б.А., Пихтин Н.А., Самойлов Л.Л., Сапожников И.Д., Тарасов И.С., Фельштын М.Л., Хорьков Д.П. Диагностика полупроводниковых структур с использованием терагерцового безапертурного ближнепольного микроскопа // Изв. вузов. Радиофизика. 2011. Т. 54, № 8-9. C. 640–.