С помощью терагерцового ближнепольного микроскопа исследовано пространственное распределение концентрации носителей заряда в различных полупроводниковых микроструктурах. Для образца на основе InAs проведена оценка концентрации носителей заряда в низколегированном акцепторной примесью Zn слое InAsSbP.
Пример ссылки для цитирования
Трухин В.Н., Голубок А.О., Лютецкий А.В., Матвеев Б.А., Пихтин Н.А., Самойлов Л.Л., Сапожников И.Д., Тарасов И.С., Фельштын М.Л., Хорьков Д.П. Диагностика полупроводниковых структур с использованием терагерцового безапертурного ближнепольного микроскопа
// Изв. вузов. Радиофизика. 2011. Т. 54, № 8-9. C. 640–.