Якимов А.В.
 Статья на сайте eLibrary  Скачать выпуск целиком (1.85 МБ)

Обсуждаются два альтернативных подхода, связывающие фликкерный (1/f) шум в полупроводниках с флуктуациями подвижности носителей тока. Согласно первому подходу 1/f шум ассоциируется с флуктуациями рассеяния носителей тока на акустических колебаниях решётки. Во втором подходе причиной шума считаются флуктуации сечения рассеяния подвижных дефектов. Проанализированы экспериментальные данные, свидетельствующие в пользу первого подхода. Показано, что для объяснения существующих данных в рамках модели флуктуаций сечения рассеяния подвижных дефектов необходимо существование не выявленного ранее эффекта: увеличение степени легирования при изготовлении полупроводника должно приводить к пропорциональному уменьшению концентрации подвижных дефектов, ответственных за возникновение 1/f шума.

На английском языке

Two alternative approaches explaining the 1/f noise in semiconductors by the noise in the mobility of the current carriers are discussed. According to the first approach, the 1/f noise is associated with the noise in the scattering of the carriers on acoustic phonons of the lattice. In the second one, the noise in the scattering cross-section of the mobile defects is considered as the source of the 1/f noise. The experimental data proving the first approach are analyzed. It is shown that, to explain the existing data by the model of the noise in the scattering cross-section of the mobile defects, a novel effect should exist. Namely, manufacturing of the semiconductor with the increased degree of doping should result in the proportional decrease of the concentration of the mobile defects responsible for the generation of the 1/f noise.